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Diodo: alcuni dubbi sulla teoria

Elettronica lineare e digitale: didattica ed applicazioni

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[1] Diodo: alcuni dubbi sulla teoria

Messaggioda Foto Utentefranco1 » 29 gen 2014, 10:58

Una saluto a tutti ...visto che sono nuovo del forum vorrei ringraziarvi per le informazioni che date.
Sto approfondendo la teoria sul funzionamento del diodo e non mi sono chiare 2 cose.
1) Quando si polarizza inversamente la giunzione la corrente è dovuta alle cariche minoritarie (elettroni liberi grazie all'agitazione nella zona p e lacune libere, per lo stesso motivo, nella zona n).
Vi chiedo: qualcuno può descrivermi il percorso chiuso intrapreso da ognuna di queste cariche considerando che ognuna di queste cariche deve passare attraverso il generatore di tensione esterno?
2) Il Millnan-Grabel afferma che per un semiconduttore estrinseco (cioè drogato) la conducibilità diminuisce con l'aumento della temperatura (poiché a causa dell'agitazione termica diminuisce la mobilità delle cariche libere). Successivamente il testo afferma che per un diodo polarizzato direttamente, fissando un valore di corrente di conduzione, all'aumentare della temperatura si può avere lo stesso valore di corrente con una tensione più bassa. Ma non è una contraddizione?
Vi ringrazio e vi saluto.
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[2] Re: DIODO: ALCUNI DUBBI SULLA TEORIA

Messaggioda Foto Utentelelerelele » 29 gen 2014, 22:01

ti rispondo per quanto mi ricordo......

franco1 ha scritto:1) Quando si polarizza inversamente la giunzione la corrente è dovuta alle cariche minoritarie ........

mi pare che sia così, fino a quando non raggiungi la tensione di rottura, (Vb breakdown), che essendo in grado di strappare gli elettroni attraverso la depletion-layer, (zona di svuotamento), determina una forte corrente che in brevissimo tempo fonde la giunzione.


franco1 ha scritto: Il Millnan-Grabel afferma che per un semiconduttore estrinseco (cioè drogato) la conducibilità diminuisce con l'aumento della temperatura.........

quello che posso dirti è che la tensione di soglia si riduce di 2.2mV ogni °C di aumento della temperatura, questo determina su transistor BJT, un forte aumento di corrente, ed i diodi per lo stesso motivo riducono la loro caduta di tensione diretta; ed i termistori (NTC) realizzati appunto da semiconduttore riducono la loro resisitenza aumentando la temperatura.

spero di averti aiutato anche se non sono molto ferrato in merito.

saluti.
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