LM317 corrente pulsante

[spud]

Caratteristica corrente-tensione del laser, con questa posso calcolarmi la resistenza equivalente di piccolo segnale. E' stata fatta variando la tensione in ingresso da 0 a 1V a passi di 1mV. La corrente è calcolata in base alla tensione reale impressa dal generatore, mentre la tensione sul diodo è misurata.

Ho stampato la corrente sulle ascisse perché è quella che mi determina il punto di lavoro.

[DarwinNE]

Poi ce lo fai un articoletto, vero, spud

[spud]

Volentieri

[spud]

Ho fatto qualche conto, dimensionalmente le cose tornano, però non sono molto sicuro.
Considerando lo schema a blocchi:

Sorgente FidoCadJ | Ingrandisci | Cos'è Fidocad

L'obbiettivo è quello di ottenere la funzione G, il mio procedimento è questo:









quindi avrei:



portando il secondo addendo al primo membro:





sostituendo nella (1) l'espressione della ottengo:





quindi finalmente, sempre se il procedimento è giusto, ho:



dimensionalmente dovrebbe tornare.

Nella prossima puntata cercherò di assegnare dei valori sensati a tutti i parametri e vediamo se qualcosa si può trascurare. Poi me la prendo con un eventuale regolatore.

[EnChamade]

spud, non ho verificato il procedimento, ma non mi torna il risultato.

Io farei così:

1) Ridisegnamo lo schema a blocchi nel modo seguente:

Sorgente FidoCadJ | Ingrandisci | Cos'è Fidocad

2) Maneggiando un po' questo schema otteniamo:

Sorgente FidoCadJ | Ingrandisci | Cos'è Fidocad

Sorgente FidoCadJ | Ingrandisci | Cos'è Fidocad

dove


3)Ora arriviamo a questo schema equivalente

Sorgente FidoCadJ | Ingrandisci | Cos'è Fidocad

ottenendo la funzione di trasferimento del tuo stadio di uscita

[spud]

Mi sa che devo ridare un occhio ai conti.
Decisamente meglio il tuo metodo comunque spero di avere l'occhio che hai tu un giorno se no sono cavoli
Provo a giocare un po' con matlab, sono curioso di vedere cosa viene fuori.
Vi tengo aggiornati, è una minaccia

[GiulioB]

Sto thread e' uno dei piu' interessanti degli ultimi tempi.

Bravi

[spud]

Rieccomi, ho fatto una piccola modifica al circuito, ho messo così da poter sfruttare tutto il range di tensione possibile in uscita dal micro che genererà la Vref (0-5V). Comunque i calcoli non cambiano molto, nel senso che continuiamo a essere in saturazione fin che il mosfet è acceso.

Ora mi sono scelto tre punti di lavoro che credo ragionevoli

• a corrente massima:
• intermedio:
• a corrente minima:

e per ogni punto con il grafico delle capacità parassite alla mano mi sono determinato la , e . In questo modo ho potuto vedere gli andamenti delle funzioni e , riporto quella per il punto a corrente massima:

verificando quindi che queste due funzioni sono effettivamente trascurabili nella banda di interesse per la mia applicazione.

Ora però sono un po' in difficoltà per quello che riguarda il calcolo di e , perché il datasheet del componente non mi da ne un grafico dell'andamento di questi due parametri al variare delle condizioni di lavoro, ne i parametri tecnologici necessari al calcolo analitico.
Come si procede in questo caso? Ho letto nel documento che mi hai linkato qualche post fa che nel progetto del carico attivo li avete stimati graficamente, siete partiti dalla caratteristica corrente-tensione del transistor?

[spud]

Io per calcolare farei così, considero il punto a dalla curva:

Immagine.png (48.78 KiB) Osservato 6033 volte

spannometricamente dovrei avere quindi


guardando l'andamento della curva per basse correnti ho pensato di poter considerare costante questo valore anche per i punti di lavoro con correnti più basse ma non ne sono sicuro al 100%.

Se questo ragionamento ha senso mi resta il problema della

[EnChamade]

spud, complimenti per la passione e l'interesse che stai mettendo nel tuo progetto. E' bello vedere utenti così!
Ecco alcuni commenti ai tuoi ultimi post.

spannometricamente dovrei avere quindi

guardando l'andamento della curva per basse correnti ho pensato di poter considerare costante questo valore anche per i punti di lavoro con correnti più basse ma non ne sono sicuro al 100%.

Si, è un metodo per stimare la transconduttanza di cui hai bisogno. Puoi considerare la e calcolarti la per ogni valore di corrente che hai selezionato (la transconduttanza sarà quindi diversa per ogni valore di corrente scelto).

Se questo ragionamento ha senso mi resta il problema della

E questo è più difficile: ben venuto nel club di chi cerca di usare un MOSFET in zona di saturazione e non trova i parametri che gli servono. Senza che stia a riscrivere, anche per il MOSFET vale sostanzialmente quello detto qui.
Aggiungo che, come nel tuo caso, quando non si riesce a stimare graficamente perché il datasheet riporta delle caratteristiche non utilizzabili a questo scopo, si può cercare un modello SPICE del componente in questione e vedere il valore del parametro LAMBDA che rappresenta la modulazione di lunghezza del canale. Ad esempio la Fairchild lo fornisce, attivando un account. I valori tipici su questi tipi di dispositivi sono . Potresti quindi assumere un valore arbitrario di , ma prima vedi se riesci a recuperare un modello SPICE da una fonte sicura (anche un software di simulazione che hai).