Limite Corrente To-252

[ThEnGi]

In teoria D1 serve a limitare la tensione tra Drain e + della batteria, non va considerata l'induttanza dei cavi ?
Pensandoci bene c'è già D2 (TVS tra drain e - batteria) che va a limitare la tensione su i Mosfet.

Si la pista sara più larga, pensavo circa 1 Cm. A naso dobrebbero essere 100A in continua più il rinforzo (extra stagno e filo rame argentato)

Consigli 1 ohm in uscita del driver più 1 ohm sul gate ? Non basta la resistenza sul gate ?

EtemenankiTi ringrazio per la disponibilità, spesso su applicazioni di "potenza" prendevo il datasheet e applicavo senza stare a rimuginare troppo

[Etemenanki]

Figurati ... "uno e' lieto di poter servire"

Un paio di ohm in uscita dal driver, piu un ohm o simile per ogni mosfet, dovrebbero limitare il rischio che il driver sovraccarichi, ed anche il rischio che se uno dei mosfet avesse caratteristiche leggermente diverse dagli altri si trovi a dover gestire la maggior parte della corrente, sia pure per pochissimo tempo.

Considera che ogni mosfet ha gia all'interno un diodo di protezione (di tutto rispetto, se guardi la tabella Diode Characteristic del datasheet ), metterne un altro esterno non serve, almeno non per la poca induttanza che possono creare i cavi (anche perche' dovranno essere belli spessi e non troppo lunghi).

[ThEnGi]

Considera che ogni mosfet ha gia all'interno un diodo di protezione

Il body diode è sempre polarizato inversamente, non passa corrente in fase di apertura del mosfet, cosa che succederebbe in D1 in caso di carico induttivo.
Comunque via D1, più spazio per le piste di potenza

I cavi saranno almeno 16 mmq, idealmente 25 mmq

[lelerelele]

Considera che ogni mosfet ha gia all'interno un diodo di protezione

Il body diode è sempre polarizato inversamente, non passa corrente in fase di apertura del mosfet, cosa che succederebbe in D1 in caso di carico induttivo.

Lo mettono appunto perché è impossibile avere correnti elevte ed assenza di effetti induttivi distribuiti, (altrimenti non lo metterebbero), tra connessioni, piste, cavi, pin, avrai sicuramente qualche decimo-decina-centinaia di uH, e lavorando con fronti molto ripidi, come sono capaci di fare i mosfet, si avranno sicuramente spike di tensioni che andranno a polarizzare inversamente il mosfet.

saluti.

[ThEnGi]

Mi spiace lelerelele ma non capisco Parli del body diode o altro ? parli delle induttanze parassite del Mosfet ?

L'induttanza dei cavi/connessioni e altro è considerata infatti è stato posto un TVS in parallelo al banco dei transistor in modo da limitare la tensione ai loro capi. Perciò in caso di sovratensione il TVS entra in conduzione e limita Vds ad un valore non distruttivo (<40V).
Come "segnaposto" stavo usando il SM8S13A. Era pensato per altri transistor (Vds max 25V) ora lo rivaluterò tanto ho margine....

[lelerelele]

Mi spiace lelerelele ma non capisco Parli del body diode o altro ? parli delle induttanze parassite del Mosfet ?

Ok. Mi riferivo al post precedente, dove venivano menzionati i diodi di protezione interni ad i mosfet.
in seguito alla tua affermazione,

Il body diode è sempre polarizato inversamente, non passa corrente in fase di apertura del mosfet, cosa che succederebbe in D1 in caso di carico induttivo.

, (magari ho frainteso io).
Ok, se sono gia state prese precauzioni in merito, esternamente al componente, ma la piccolissima induttanza che puoi avere anche sulle piste vicino al mosfet, ed i pin stessi del mosfet, con centinaia di ampère secondo me danno spike anche internamente al mosfet.

I disturbi, o gli spike di tensione, sono sempre rognosi da rilevare e da rendere innocui.

Su una scheda nostra, con una ventina di mosfet che pilotavano induttori da qualche ampère, autooscillavano, dando riscaldamento e fondendo qualche mosfet, pure essendo stati filtrati sulle uscite, ed infatti il problema era sul pilotaggio.

Saluti.

[ThEnGi]

Allargate le tracce e razionalizato gli spazi, sono presenti via sotto il "TAB" dei mosfet e adiacenti ai pin.
Sia via che pad sono a "rame esposto" perciò ci si salda pure sopra

Ne vanno messe di più di via ?
Non ho capito come metterle in automatico perciò sto facendo tutto a mano

Al piano di rame di V1 (surce dei mosfet) equivale il mio "GND" a cui sono sottesi gli altri circuiti (gate driver, +5V x uC, Misura tensione e presenza tensione), uso un piano unico (coperto) o faccio due piani interconnessi in un solo punto ?

[Etemenanki]

Personalmente metterei piu vias e stagnerei sopra e sotto (e magari riportare una cordina stagnata, sopra, sia lato drain che source), ma quello e' una mia idea soltanto.

Per il piano di massa, usalo pure intero da entrambi i lati, ed abbonda anche con i vias di interconnessione in piu punti per equalizzare al meglio (anche se ovviamente non ne servono tanti come sulle piste di potenza).

Non so che programma usi, ma i vias in automatico non credo siano compresi in nessun programma.

[ThEnGi]

Non so che programma usi, ma i vias in automatico non credo siano compresi in nessun programma.

Ok più vias e traccia di potenza e piano GND interconnessi.

Devo rifare il disegno ma riesco a farglieli mettere in automatico ogni X e Y mil

[ThEnGi]

Ma i vias in automatico non credo siano compresi in nessun programma.

Invece si per qualche oscuro motivo si può fare ma utilizando un comando diverso, nel disegno ora ci sono due "piani" quello che definisce la "copper area" che permette la generazione di vias via script e "solid area" che permette di generare un solido piano di rame che può essere esposto
Il sotto è speculare inolte ho modificato il footprint del D2pak-7 è ci sono Vias anche sotto il pin "TAB"

Etemenanki Come ti sembra ?