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Sui libri che ho di elettronica,non ho i corrispettivi circuiti equivalenti (a pi greco :"GIACOLETTO"),per piccoli segnali,per le altre configurazioni di collegamento e cioe' :a base e collettore comune(per i BJT) e a gate e drain comune per i JFET e i MOS.C'e' un modo per ricavarli dalla configurazione a emettitore comune (source comune)? E se no,come posso fare?
Grazie a chiunque rispondera'.

Terzo principio fondamentale dell'elettronica (*)(**): i componenti sono miopi come talpe, non vedono 1 mm piu` in la` dei proprii piedini. Questo vuol dire che lo stesso modello, che rappresenta come funziona il dispositivo, puoi metterlo nel circuito indipendentemente dal fatto che sia un CE, CC o chissa` che cos'altro. Un transistor "non sa" se in che configurazione e` collegato, fa il transistore e basta. Se un modello ne rappresenta il comportamento, lo rappresenta in qualunque circuito, ammesso che il modello non sia usato al di fuori dei proprii limiti di validita`

(*) Il secondo e` la legge di ohm, il primo, appena riesco a mettere una firma in calce ai miei messaggi lo scrivo li`
(**) non e` tanto uno scherzo: da questo principio discendono tutti i teoremi di sostituzione e di equivalenza. Non ho mai visto un transistore andare a lezione e prendere appunti su modelli e configurazioni

CptFrank ha scritto:... C'e' un modo per ricavarli ....

I circuiti equivalenti puoi ricavarli dai dati presenti nel datasheet o meglio ancora dai modelli di simulazione forniti dal costruttore; in entrambi i casi non è un'operazione elementare

vedi per esempio questo vecchio post sull'argomento

viewtopic.php?t=13480&p=82759

Ciao Isidoro e scusa il ritardo.

Quindi vanno bene questi schemi,chiaramente con le dovute semplificazioni.

Il secondo si`, a patto di ricordarsi che r1 in realta` e` sempre r2 con lo stesso valore di prima. Invece il terzo non va. Ci deve comunque essere una r fra base ed emettitore, generatore e ro invece mi sembra che siano a posto.

Solo una osservazione: di solito il generatore di corrente e` girato dall'altra parte, in modo che una tensione vbe positiva fa scorrere una corrente ic entrante. Questa convenzione per i piccoli segnali (la v e la i le ho scritte minuscole!) vale sia per npn che pnp.

scusatemi una cosa, e correggetemi se sbaglio, nel primo schema viene trascurata la resistenza tra base e collettore, evidentmente perché si sta considerando il transistor in regione normale, a questo punto anche nel terzo la r3 si potrebbe togliere

Wed_17 ha scritto:scusatemi una cosa, e correggetemi se sbaglio, nel primo schema viene trascurata la resistenza tra base e collettore, evidentmente perché si sta considerando il transistor in regione normale, a questo punto anche nel terzo la r3 si potrebbe togliere

Si`, certamente hai ragione. Era quello che avevo provato a dire, dimenticandomi di far notare che r3 non c'e` e c'e` una r fra B ed E, sempre la stessa che c'era negli altri due circuiti equivalenti.

IsidoroKZ ha scritto:Si`, certamente hai ragione. Era quello che avevo provato a dire, dimenticandomi di far notare che r3 non c'e` e c'e` una r fra B ed E, sempre la stessa che c'era negli altri due circuiti equivalenti.

Perfetto

IsidoroKZ ha scritto:Il secondo si`, a patto di ricordarsi che r1 in realta` e` sempre r2 con lo stesso valore di prima. Invece il terzo non va. Ci deve comunque essere una r fra base ed emettitore, generatore e ro invece mi sembra che siano a posto.

Solo una osservazione: di solito il generatore di corrente e` girato dall'altra parte, in modo che una tensione vbe positiva fa scorrere una corrente ic entrante. Questa convenzione per i piccoli segnali (la v e la i le ho scritte minuscole!) vale sia per npn che pnp.

Hai ragione in tutto e ti ringrazio.
Per quanto riguarda le resistenze,nel disegnarle,multisim assegna automaticamente una
sigla diversa ogni volta che si fa un'operazione di copia incolla e non ho ritenuto importante cambiarle,
in quanto mi serviva la spiegazione del concetto.
Per i complimenti ,mi piace farli alle donne,ma in questo caso...Bravissimo.
Faro' le opportune correzioni.

Scusatemi ma mi sembra che si stia sottovalutano, anzi banalizzando il problema dei circuiti equivalenti, che è un argomento complesso e comporta la conoscenza dei vari modi di rappresentazione di un doppio bipolo.

Non solo bisognerebbe separare il discorso per i vari componenti, BJT MOS ecc. ma soprattutto differenziare il campo di validità di ogni rappresentazione in funzione della frequenza di lavoro.

Detto questo si potrebbe partire per esempio dal circ. equivalente di un BJT in bassa frequenza e a parametri ibridi, usatissimo specie perché i costruttori forniscono spesso nei datasheet i parametri h relativi; nei circuiti equivalenti a parametri h poi, si può usare sia il più comune (CE) per tutte e tre le configurazioni, sia anche 3 diversi particolarizzati per CE CB CC.